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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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聯(lián)系人：李俊(15121044230)、朱文清(13601675090) 儀器簡(jiǎn)介： 測(cè)量可見(jiàn)光譜 主要技術(shù)指標(biāo)： 測(cè)量光譜范圍：380-780nn...
上海寶山區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品臺(tái)X:80mmY:40mmZ:40mmT:-30°～60°R:360degrees(endless)SEM部二次電子圖像分辨率3.5nm(30kV)放大倍數(shù)×20～×300,000加速電...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：這是一套進(jìn)行XPS和UPS測(cè)量的高分辨低溫光電子譜儀。譜儀的真空度為1E-8Pa。電子能量分辨率為3meV，動(dòng)量分辨率為0.1度。樣品處最低溫度為7.2K。 功能...
上海楊浦區(qū)
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鍍層厚度測(cè)試
廣東
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主要技術(shù)指標(biāo)：5X--100X物鏡光學(xué)鏡頭， 功能/應(yīng)用范圍：材料型貌觀察。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶 首飾電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.點(diǎn)分辨率2.3A；2.信息分辨率1A；3.場(chǎng)發(fā)射電子槍；4.2k′2kCCD替代普通相機(jī)；5.最小束斑直徑1nm 功能/應(yīng)用范圍：1.微觀形貌結(jié)構(gòu)觀測(cè)；2.在位成分...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：掃描范圍100um(微米)，縱向分辨率優(yōu)于1A(埃)，橫向分辨率優(yōu)于1nm(納米)。 功能/應(yīng)用范圍：掃描探針顯微鏡(SPM)的納米量級(jí)的分辨率和光學(xué)顯微鏡的...
上海楊浦區(qū)
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基本原理：以SEM為基礎(chǔ)；用鎵(Ga)離子束代替電子束；最小束斑直徑達(dá)到10nm；用于精密切割；通過(guò)二次電子對(duì)切割效果進(jìn)行觀察；通過(guò)在樣品表面鍍W或Pt來(lái)保護(hù)切割邊緣；...
廣東
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主要技術(shù)指標(biāo)：(1)深度分辨率：幾個(gè)納米；(2)空間分辨率：<一個(gè)微米；(3)質(zhì)量分辨率：m/m5000(4)檢測(cè)靈敏度：ppmppb；(5)絕緣層厚度為幾個(gè)微米的樣品質(zhì)譜分析 功能...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)...
上海楊浦區(qū)
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分辨率：高壓模式：3nm，低壓模式：4nm放大倍數(shù)：5~100萬(wàn)倍檢測(cè)元素：Be4-PU94最大樣品直徑：200mm圖象模式：二次電子、背散射應(yīng)用范圍：1．材料組織形貌觀察，如斷口顯微...
廣東
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主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)： *dc-4.1GHz頻率覆蓋，具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調(diào)，對(duì)許多標(biāo)準(zhǔn)制式的單鍵設(shè)置 *Agilent獨(dú)特的差錯(cuò)分析特性，包括隨時(shí)間變化的EVM，隨時(shí)間變化的相...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：AFM噪聲水平0.3,可對(duì)云母、石墨原子像成像控制器反饋相應(yīng)時(shí)間：2s,采樣率50MHZ掃描范圍：0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率10X10納米Multimode8型 功能/應(yīng)用范圍：納米材料表面形貌、納米薄膜粗糙度研究，納米材料粒徑測(cè)量、納米復(fù)合材料相組成研究及復(fù)合材料界面研究...
上海楊浦區(qū)
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功能及用途 用于各種材料壓片尤其是熒光材料的高清晰觀察并進(jìn)行拍照、圖象分析 主要技術(shù)指標(biāo) 載物臺(tái)垂直運(yùn)動(dòng)：25mm行程，帶有粗調(diào)限位器，最...
河北石家莊
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主要技術(shù)指標(biāo)：Avg.ModelockedPower:>300mW Bandwidth:>70nm CentralWavelength(nominal):800nm RepetitionRate:80MHz PulseWidth:<20fs Internal...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：測(cè)量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
上海楊浦區(qū)
