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硅片局部升溫，根據拉曼光譜平移變化確定其局部溫度的變化。
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硅片局部升溫，根據拉曼光譜平移變化確定其局部溫度的變化。
瀏覽：614 解答：1發布人：程康
- 咨詢方式：文本
- 問題類別：詢盤
- 發布時間：2020-08-24 15:35:51
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問題描述:
硅片局部升溫，根據拉曼光譜平移變化確定其局部溫度的變化。
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已解答: (1)
http://www.weipingtest.cn/wpkj_gxyq 我們能做，歡迎咨詢
預約須知
1，粉末量要求50mg左右；
2，固體/塊狀樣品尺寸要求最小2*2mm，最大不超出5*5cm；
3，液體無法直接測試；
4，每樣品測2個點左右；
5，其他特殊要求請先聯系當地經理或撥打客服熱線。
拉曼光譜（Raman）
型號：
法國HORIBA Jobin Yvon S.A.S公司 LabRAM HR Evolution；
thermo dionex aquion；
顯微共聚焦拉曼光譜儀 雷尼紹 inVia Qontor；
Renishaw invia reflex共聚焦激光拉曼光譜儀，冷熱臺(-196°C~ 600°C)
測試項目：
325，514，532，633，785（325從200開始測，其余激光器波長都從50開始測）
更多測試要求請咨詢客戶經理;
樣品要求：
1. 樣品狀態：可為粉末、溶液、塊狀、薄膜樣品
2. 粉末樣品：粉末要求至少50mg
3. 溶液樣品：無法直接測試，需滴在硅片上烘干；
4. 塊狀、薄膜樣品：固體樣品尺寸要求最小2*2 mm，最大不超出5*5cm；一定要標明測試面！
5. 每樣品測2個點左右
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