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德國(guó)BATOP PSFL1030光纖激光器 MCT-1064-90ps激光微芯片激光組件

這真不是您需要的產(chǎn)品？
品　　牌：
BATOP

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出廠價(jià)：
0

主要規(guī)格：
930~3000nm

用　　途：
激光實(shí)驗(yàn)配件

維爾克斯光電和德國(guó)BATOP公司有著緊密和深入的合作，能夠迅速響應(yīng)用戶對(duì)光纖激光器、1064nm激光芯片和激光組件的報(bào)價(jià)和交貨需求。 PSFL1030 皮秒光纖激光評(píng)估套件 BATOP的PSFL1030評(píng)估套件允許用戶在1030 nm波長(zhǎng)使用，配置了可飽和吸收鏡，可作為非線性光學(xué)器件的被動(dòng)鎖模器件和激光諧振腔。光纖激光器的設(shè)計(jì)可以很容易的研究改變某些參數(shù)對(duì)激光輸出信號(hào)的影響。用戶能夠在1030n構(gòu)建自己的ps光纖激光裝置，支持對(duì)被動(dòng)鎖模摻鐿光纖激光器的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的理解。以下的光纖激光器的配置可以通過(guò)PSFL1030皮秒光纖激光評(píng)估套件實(shí)現(xiàn)：被動(dòng)鎖模皮秒光纖激光器的可飽和吸收鏡（SAM）使用一個(gè)光纖布拉格光柵（FBG）分散控制 PS振蕩器+光纖放大器的組合 1030nm連續(xù)波光纖激光器放大的自發(fā)輻射（ASE）的寬帶發(fā)射。 PSFL1030評(píng)估套件包含了980 nm泵浦激光二極管和激光二極管控制器運(yùn)行，得到1030nm的皮秒光纖激光輸出。測(cè)量激光輸出參數(shù)除了PSFL1030評(píng)估套件，還需要如下附加設(shè)備：光功率計(jì)測(cè)量激光輸出平均功率快速光電二極管激光輸出信號(hào)跟蹤的時(shí)間依賴性 200 MHz示波器測(cè)量光電二極管的輸出信號(hào) 可選：OSA（光譜分析儀）測(cè)量的光譜強(qiáng)度可選：脈寬測(cè)量的自相關(guān)器 PSFL1030 皮秒光纖激光評(píng)估套件的參數(shù) 皮秒光纖激光器評(píng)估套件，被動(dòng)鎖模光纖激光器，波長(zhǎng)1030 nm， ~ 3 ps脈沖持續(xù)時(shí)間，脈沖能量~ 50 PJ，重復(fù)率50 - 100兆赫，泵浦波長(zhǎng)975 nm。 BATOP 1064nm激光微芯片微芯片（MC，BATOP 1064nm激光微芯片）是由可飽和吸收體結(jié)合Nd:YVO4 激光晶體。如果使用波長(zhǎng)為808 nm的被動(dòng)調(diào)Q激光器泵浦，其就可以產(chǎn)生脈沖激光輻射的波長(zhǎng)在1064 nm激光。 BATOP 1064nm激光芯片的優(yōu)勢(shì)是其重復(fù)頻率和泵浦能量有關(guān)，隨著泵浦能量的增加，1064nm芯片的重復(fù)頻率也隨著增加，而輸出激光的脈寬和單脈沖能量都不變。寄激光輸出是線性的。 BATOP 1064nm激光微芯片的應(yīng)用領(lǐng)域：微加工光探測(cè)和測(cè)距（LIDAR）精密測(cè)量頻率轉(zhuǎn)換 BATOP 1064nm激光微芯片的型號(hào)和參數(shù) BATOP 1064nm激光微芯片可分為兩大類(lèi)：反射式和透射式。 1）MC：反射模式芯片 Nd∶YVO4激光晶體與可飽和吸收鏡結(jié)合（SAM）。激光束在泵浦光的反方向，必須使用一個(gè)二分鏡從泵浦光中分離。激光輸出與偏振方向垂直于銅熱沉槽中的偏振方向的直線偏振光。 2）MCT：傳輸模式芯片 Nd∶YVO4激光晶體結(jié)合在可飽和吸收耦合輸出鏡（SOC）上。激光輸出光束與泵浦光束的方向相同。激光輸出為線偏振。下面是BATOP 1064nm激光微芯片的型號(hào)參數(shù)。 MC-1064-100ps 反射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 100 ps, 脈沖能量 ~ 20 nJ, 重復(fù)頻率 80 kHz - 700 kHz pump wavelength 808 nm MC-1064-240ps 反射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 240 ps, 脈沖能量 ~ 30 nJ, 重復(fù)頻率 50 kHz - 800 kHz pump wavelength 808 nm MCT-1064-90ps 透射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 90 ps, 脈沖能量 ~ 100 nJ, 重復(fù)頻率 20 kHz - 400 kHz pump wavelength 808 nm MCT-1064-220ps 透射模式微芯片 λ = 1064 nm, 脈寬~ 220 ps, 脈沖能量 ~ 160 nJ, 重復(fù)頻率 20 kHz - 400 kHz pump wavelength 808 nm BATOP激光組件、激光元件德國(guó)BATOP還提供一系列的激光元件和組件，包括窄帶通濾波器、長(zhǎng)通濾波器和broadband gold mirror。尺寸很小的反射鏡（幾mm）或長(zhǎng)通濾波器需要這樣的設(shè)備，可以在單晶GaAs襯底上使用。單晶GaAs具有良好的導(dǎo)熱系數(shù)55 W/(m*K)，可以切割成小的矩形芯片由于其立方晶體結(jié)構(gòu)。 Au-M-4x4 Gold mirror on GaAs substrate area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm Au-M-2x2 Gold mirror on GaAs substrate area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm Au-M-1.3x1.3 Gold mirror on GaAs substrate area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm B-M-1030nm-4x4 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate area: 4.0 mm x 4.0 mm, thickness 0.45 mm B-M-1030nm-2x2 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate area: 2.0 mm x 2.0 mm, thickness 0.45 mm B-M-1030nm-1.3x1.3 Bragg mirror 1030 nm on GaAs substrate area: 1.3 mm x 1.3 mm, thickness 0.45 mm LPF-900-5x5 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm chip area: 5.0 mm x 5.0 mm, chip thickness 0.625 mm LPF-900-4x4 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm chip area: 4.0 mm x 4.0 mm, chip thickness 0.625 mm LPF-900-2x2 Long Pass Filter 900 nm on GaAs substrate stopband λ < 880 nm, passband λ > 950 nm chip area: 2.0 mm x 2.0 mm, chip thickness 0.625 mm

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