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Z軸測量顯微鏡

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出廠價：
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主要規(guī)格：
CW2010—Z

用　　途：
適用于硅片、IC、LCD、TFT、PCB、MEMS激光加工、晶片測試、半導(dǎo)體材料、線束加工蝕刻、液晶電池蓋、導(dǎo)線框架等產(chǎn)品的檢查觀察.也適用于經(jīng)過磨拋、化學(xué)處理的工件表面的金相組織結(jié)構(gòu)，幾何形狀進(jìn)行顯微觀測。并且有三維的計量功能，其解析率達(dá)0.0005mm

CW2010—Z軸測量顯微鏡
CW2010—Z軸測量顯微鏡以影像法為測量原理, 采用光學(xué)焦點位置檢測方式進(jìn)行非接觸高低差測量。不僅可以對準(zhǔn)目標(biāo)影像, 還能觀察測量點的表面狀態(tài),對高度,深度,高低差等進(jìn)行測量。本儀器的各種鏡筒還具有明暗場，微分干涉，偏光的觀察功能。所以對極細(xì)微的間隙高低差，夾雜物、微米以下的突起、細(xì)微劃痕進(jìn)行觀察。
一、特點: 以影像法為測量原理, 采用光學(xué)焦點位置檢測方式進(jìn)行非接觸高低差測量。不僅可以對準(zhǔn)目標(biāo)影像, 還能觀察測量點的表面狀態(tài),對高度,深度,高低差等進(jìn)行測量。本儀器的各種鏡筒還具有明暗場，微分干涉，偏光的觀察功能。所以對極細(xì)微的間隙高低差，夾雜物、微米以下的突起、細(xì)微劃痕進(jìn)行觀察。
二、 CW2010—Z軸測量顯微用途：適用于硅片、IC、LCD、TFT、PCB、MEMS激光加工、晶片測試、半導(dǎo)體材料、線束加工蝕刻、液晶電池蓋、導(dǎo)線框架等產(chǎn)品的檢查觀察.也適用于經(jīng)過磨拋、化學(xué)處理的工件表面的金相組織結(jié)構(gòu)，幾何形狀進(jìn)行顯微觀測。并且有三維的計量功能，其解析率達(dá)0.0005mm。因此是精密零件，集成電路，半導(dǎo)體芯片，光伏電池，光學(xué)材料等行業(yè)的必用儀器。
三、 CW2010—Z軸測量顯微鏡主要規(guī)格
    2.1 鏡筒：鉸鏈?zhǔn)饺款^部   30°傾斜   270°旋轉(zhuǎn)
    2.2 高眼點平場目鏡: WF10X/22
   2.3 超長物距平場物鏡：PLL5X/0.12 WD 26.1， PLL10X/0.25 WD 20.2， PLL20X/0.40 WD 8.80， PLL50X/0.7 WD 3.68。
   2.4 右傾式內(nèi)定位5孔轉(zhuǎn)換器
    2.5 落射式照明系統(tǒng)：鹵素?zé)?2V30W，內(nèi)置孔徑光闌，五孔轉(zhuǎn)盤濾色裝置（黃、綠、藍(lán)、磨砂）推拉式檢偏器和起偏器。
    2.6 調(diào)焦結(jié)構(gòu)：粗微動同軸調(diào)焦, 帶鎖緊和限位裝置粗動升降范圍30mm 微動格值 0.001mm*100格數(shù)顯解析值 0.0005mm。
   2.7 光源：鹵素?zé)?亮度可調(diào) 6V30W（BD：12V50W）
   2.8 普通透射照明：可選
  2.9 Z軸升降范圍：手輪轉(zhuǎn)動130mm 允許最高工件 130mm
    X軸移動范圍 200mm 解析率：0.001mm 可解鎖手動快進(jìn)
    Y 軸移動范圍 100mm 解析率：0.001mm 可解鎖手動快進(jìn)
   測量精度（3+L/100）mm (L: 被測長度)
   落射光測量誤差≤0.08%
   3.0工作臺尺寸: 360mm*250mm   玻璃板尺寸: 225mm *175mm   工作臺承重: 30kg
    3.1 儀器外型尺寸：380mm*550mm*830mm
    3.2 凈重：100kg 毛重：120kg

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王盈

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