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檢測認證人脈交流通訊錄
- ?PHIGENESIS Model 900 for HAXPES
硬X射線光電子能譜（HAXPES）是一種先進的表面分析技術，主要用于研 究固體樣品的表面電子結構和化學態。 HAXPES利用高能X射線（例如Cr Ｋα射線 ，能量為5414．7 eV）激發樣品表面的電子。通過測量這些電子的能量分布，能 夠獲得關于樣品表面的化學成分和電子結構的詳細信息。與傳統的XPS（軟X射線 光電子能譜）相比，HAXPES具有更深的探測深度，通常可達約30 nm，適用于 多層薄膜、半導體光電器件等樣品的無損深度分析。
無需濺射刻蝕的深度探索
下一代透明發光材料使用直徑約為10nm~50nm 的納米量子點(QDs)，結合使用 XPS(Al Ka X射線)和 HAXPES(Cr Ka x射線)對同一微觀特征區域進行分析，可以對 QDs 進行詳細的深度結構分析。
XPS 和HAXPES 的結合使用，可以對納米顆粒進行深度分辨、定量和化學態分析，從而避免離子束濺射引起的損傷。
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深層界面的分析
在兩種x射線源中，只有 Cr Ka XPs 能探測到 Y0,下方距離表面 14nm 處的 Cr層。擬合后的譜圖確定了 Cr 的化學態。另外，通過比較，光電子起飛角90°和30°的 Cr Ka 譜圖結果發現在較淺(表面靈敏度更高)的起飛角時，氧化物的強度較高，表明 Cr 氧化物處于 Y,0,和 Cr 層之間的界面。?
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