檢測認(rèn)證人脈交流通訊錄
- kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導(dǎo)體襯底表面溫度的測試系統(tǒng),采用半導(dǎo)體材料吸收邊隨溫度的變化,實時測量晶片/襯底的溫度;并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導(dǎo)體沉積設(shè)備上,實現(xiàn)了晶片的溫度實時檢測。
kSA BandiT多晶片溫度監(jiān)控軟件結(jié)合了自動伺服馬達(dá)控制的掃描檢測功能,從而實現(xiàn)了MBE外延薄膜生長過程中多襯底溫度實時Mapping檢測。
該系統(tǒng)在外延薄膜生長過程提供襯底/晶片實時的二維溫度信息的系統(tǒng)。對Wafer(及薄膜)表面溫度實時、非接觸、非入侵的直接檢測;采用溫度和半導(dǎo)體材料對光的吸收邊(譜帶能量)相關(guān)性原理,即材料的本征特性,使得測量結(jié)果更為準(zhǔn)確;可裝載到MBE、MOCVD、濺射、蒸發(fā)系統(tǒng)等和熱處理、退火設(shè)備上,進(jìn)行實時溫度檢測。
kSA BandiT實時襯底溫度測試儀
技術(shù)參數(shù):
溫度范圍:室溫~1300攝氏度;
溫度重復(fù)性:0.2攝氏度;
溫度分辨率:0.1攝氏度;
穩(wěn)定性:+/-0.2攝氏度;
主要特點:
*實時、非接觸、非入侵、直接Wafer溫度監(jiān)測;
*多基片/晶片表面2D溫度Mapping監(jiān)測;
*真實的Wafer表面或薄膜溫度監(jiān)測;
*整合了新的黑體輻射監(jiān)測技術(shù);
*沉積速率和薄膜厚度分析;
*表面粗糙度分析功能;
*測量波長范圍可選(例如:可見光波段、近紅外波段等)
*避免了發(fā)射率變化對測量的影響;
*無需沉積設(shè)備Viewport特殊涂層;
更多詳情請咨詢:http://www.julistech.com/SonList-2169551.html
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