檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄
- 原位程序升溫反應(yīng)系統(tǒng)是在標(biāo)準(zhǔn)樣品臺(tái)基礎(chǔ)上搭建四電極反饋控溫的加熱模塊,在掃描電鏡中實(shí) 現(xiàn)樣品的氣氛、液氛環(huán)境及固體樣品高分辨成像和精準(zhǔn)、均勻、安全控溫,溫度精度優(yōu)于±0.1k,z高溫 度1000℃。通過(guò)精確的熱場(chǎng)模擬及獨(dú)特的芯片設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)無(wú)漂移加熱過(guò)程,可在加熱升溫過(guò)程中實(shí)現(xiàn)實(shí) 時(shí)觀測(cè)成像。樣品臺(tái)上的原位芯片采用特殊的組裝和密封方式與電鏡的真空阻隔,避免電鏡受到污染和損 壞。 獨(dú)特優(yōu)勢(shì): 1.超高分辨率 a.超薄氮化硅膜(25-50nm) b.分辨率優(yōu)于10nm 精確度、 2.靈敏度高 a.四電極形成反饋控制系統(tǒng),控溫準(zhǔn) b.觀測(cè)區(qū)域全覆蓋,升溫快且均勻 3.穩(wěn)定性好 a.科學(xué)設(shè)計(jì),漂移率***小化 b.樣品臺(tái)與芯片匹配良好,芯片不漂移 原位程序升溫反應(yīng)系統(tǒng)參數(shù)指標(biāo)表: 樣品臺(tái)尺寸 φ50×50mm 溫度范圍 rt~1000℃ 適用樣品 靜態(tài)&流體氣、液環(huán)境,固體 氣體壓強(qiáng) 0-2000mbar 分辨率 優(yōu)于10nm 窗口膜厚 25~50nm 液體池厚度 200~2000nm 溫度精度 ±0.1k 加熱均勻性 ≥99.5% 加熱電極數(shù) 4 安全性 ** 漂移率 <0.5nm/min 旋轉(zhuǎn)角度 ±180° 適用電鏡 zeiss,fei,jeol,hitachi,others inlens/ebsd √ eds/wds √ 應(yīng)用領(lǐng)域: 1.氣體環(huán)境加熱 :熱催化、 水汽重整 、石油裂解 、煤制油 、合成氨 2.液體環(huán)境加熱 :納米催化劑合成、 溫致反應(yīng)過(guò)程 、溶劑熱過(guò)程 3.固體直接加熱 :ebsd***地質(zhì)巖石礦物、 化工高 分子材料 、新能源電池材料 、半導(dǎo)體 更多訪問(wèn); http://www.chip-nova.com.cn/sonlist-1688745.html https://www.chem17.com/st384871/erlist_1688745.html
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