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大功率IGBT靜態參數測試儀

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品　　牌：
華科智源

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出廠價：
1

主要規格：
1

用　　途：
用于SiC器件的動態可靠性測試

HUSTEC華科智源 HUSTEC-1600A-MT 功率芯片靜態參數測試系統一：功率芯片靜態參數測試系統主要特點華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試600A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；功率芯片靜態參數測試系統測試參數： ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用。二：華科智源功率芯片靜態參數測試系統應用范圍 A：IGBT單管及模塊， B：大功率場效應管（Mosfet） C：大功率二極管 D：標準低阻值電阻 E：軌道交通，風力發電，新能源汽車，變頻器，焊機等行業篩選以及在線故障檢測三、華科智源功率芯片靜態參數測試系統特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣； C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數據庫功能 I：MOS IGBT內部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態參數 K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產品的曲線狀態，或者不同廠家同一規格參數的曲線對比；序號測試項目描述測量范圍分辨率精度 1 VF 二極管正向導通壓降 0~20V 1mV ±1%,±1mV 2 IF 二極管正向導通電流 0~1200A ≤200A時,0.1A ≤200A時,±1%±0.1A 3 ＞200A時,1A ＞200A時,±1% 4 Vces 集電極-發射極電壓 0~5000V 1V ±1%,±1V 5 Ic 通態集電極電流 0~1200A ≤200A時,0.1A ≤200A時,±1%±0.1A 6 ＞200A時,1A ＞200A時,±1% 7 Ices 集電極-發射極漏電流 0~50mA 1nA ±1%,±10μA 8 Vgeth 柵極-發射極閾值電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 9 Vcesat 集電極-發射極飽和電壓 0~20V 1mV ±1%,±1mV 10 Igesf 正向柵極漏電流 0~10uA 1nA ±2%,±1nA 11 Igesr 反向柵極漏電流 12 Vges 柵極發射極電壓 0~40V 1mV ±1%,±1mV 測試參數： ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降 IGBT靜態參數測試儀整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用 1) 物理規格設備尺寸：500（寬）x 450（深）x 250（高）mm；質量：30kg 2) 環境要求海拔高度：海拔不超過 1000m；儲存環境：-20℃～50℃；工作環境：15℃～40℃。相對濕度：20%RH ~ 85%RH ；大氣壓力：86Kpa～ 106Kpa。防護：無較大灰塵，腐蝕性氣體，導電粉塵等空氣污染的損害； 3) 水電氣用電要求：AC220V，±10%；電網頻率：50Hz±1Hz

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