檢測(cè)認(rèn)證人脈交流通訊錄

主要技術(shù)指標(biāo)
蝕刻反應(yīng)室抽氣速率:真空度<5.0×10^-5Torr(15分鐘內(nèi));蝕刻反應(yīng)室極限真空:8.0×10^-6Torr;裝載室抽氣速率:真空度<5.0×10^-2Torr(5分鐘內(nèi));蝕刻速率>280nm/min;非均勻性≤±5%
主要功能
進(jìn)行GaNg,GaAs,InP等材料的蝕刻
技術(shù)特色
真空環(huán)境下的半導(dǎo)體新材料制備
主要測(cè)試或應(yīng)用領(lǐng)域
材料/珠寶首飾,電子/信息技術(shù)


