檢測認證人脈交流通訊錄

| 主要技術指標 | SEM:二次電子像1.2nm (加速電壓為30kV時)、3.0nm (加速電壓為1kV時);放大倍數10-500000。CL:高分辨圖像系統,,高靈敏度的半導體(需要冷卻水源)的探測器和前置放大器;CL響應波長范圍達到165nm-1800nm。能譜儀。 | ||||||||||
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| 學科領域 | 廣泛用于材料、冶金、礦物、等領域。 | ||||||||||
| 主要功能 | 陰極熒光CL作為掃描電鏡的附件,可以在進行表面形貌分析的同時,研究半導體材料的發光特性,尤其適合于半導體量子肼、量子點、量子線等納米結構的發光性能研究。配置了能譜儀的電子顯微鏡就具備了材料的微觀成份分析的功能,可以更深入的分析材料的微觀性能,在一定程度上可以取代化學方法,是材料合成、材料性能分析、材料缺陷或失效分析、新材料的開發和研制應用領域必不可少的分析工具。 | ||||||||||
| 收費標準 | 暫不共享 | ||||||||||
| 儀器狀態 | 使用 | ||||||||||
| 使用人 | 趙紅 | ||||||||||
| 儀器地點 | 物理樓144室 | ||||||||||
| 儀器管理員 |
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