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主要技術(shù)指標 |
SEM:二次電子像1.2nm (加速電壓為30kV時)、3.0nm (加速電壓為1kV時);放大倍數(shù)10-500000。CL:高分辨圖像系統(tǒng),,高靈敏度的半導(dǎo)體(需要冷卻水源)的探測器和前置放大器;CL響應(yīng)波長范圍達到165nm-1800nm。能譜儀。 |
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學科領(lǐng)域 |
廣泛用于材料、冶金、礦物、等領(lǐng)域。 |
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主要功能 |
陰極熒光CL作為掃描電鏡的附件,可以在進行表面形貌分析的同時,研究半導(dǎo)體材料的發(fā)光特性,尤其適合于半導(dǎo)體量子肼、量子點、量子線等納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光性能研究。配置了能譜儀的電子顯微鏡就具備了材料的微觀成份分析的功能,可以更深入的分析材料的微觀性能,在一定程度上可以取代化學方法,是材料合成、材料性能分析、材料缺陷或失效分析、新材料的開發(fā)和研制應(yīng)用領(lǐng)域必不可少的分析工具。 |
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收費標準 |
暫不共享 |
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儀器狀態(tài) |
使用 |
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使用人 |
趙紅 |
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儀器地點 |
物理樓144室 |
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儀器管理員 |
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序號 |
姓名 |
聯(lián)系電話 |
電子郵箱 |
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1 |
趙紅 |
025-83685476 |
zhaohong@nju.edu.cn |
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