主要技術指標：1.設備為防氯基、氟基腐蝕的防腐設備，支持氯基、氟基刻蝕氣體；2.極限真空度：刻蝕室≤2.0×10-4 Pa(環境濕度≤55%，烘烤除氣)，進樣取樣室≤6.7×10-1 Pa；3.抽速：通過機械手送樣片后開始抽氣至8.0×10-4 Pa的時間≤20min；4.系統靜態升壓率：抽至高真空，停泵關機12小時后刻蝕室的真空度≤10Pa；5.刻蝕材料：Si、SiO2、Si3N4、Poly-Si、PZT、ZnO、BFO等材料；6.刻蝕速率：0.1~2？m/min；7.刻蝕不均勻性：≤±5%(φ5吋范圍內)；

功能/應用范圍：適用于4英寸硅片；標準ICP深硅刻蝕工藝參數: 20微米深硅刻蝕約2.5微米刻蝕窗口寬度厚度大于1微米光刻膠掩膜或大約0.5微米SiO2掩膜掩膜圖形的硅暴露面積小于10%刻蝕速度：>2微米/分鐘光刻膠的選擇比：>50:1 SiO2的選擇比：>100:1邊壁角度：90±1度

主要測試和研究領域：電子/信息技術

收費標準：其它收費方式

儀器負責人：吳東平

電話：55664846

電子郵件：dongpingwu@fudan.edu.cn