聯系人：馬國宏(66132513)

 

儀器簡介：

 

　　磁控濺射設備。

 

主要技術指標：

 

　　1.系統主要性能

 

　　該系統是一臺超高真空復合材料薄膜沉積系統,用來沉積各種金屬或者半導體薄膜。

 

　　2.主要組成及技術指標

 

　　*極限真空度：≤6.67x10-6Pa (經烘烤除氣)

 

　　*停泵關機12小時后真空度：≤5 Pa

 

　　系統真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 Pa.l/S；

 

　　系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后，再開始抽氣，30分鐘可達到6.6x10-4 Pa；

 

　　* A、濺射真空室組件(1套)

 

　　選用優質不銹鋼材料制造，氬弧焊接，要求表面處理采用噴玻璃丸和特殊化學電解拋光表面鈍化處

理工藝(采用國外設備鈍化處理工藝)；電動上掀蓋結構，可內烘烤100～150℃。

 

　　* B、磁控濺射靶組件(3套)

 

　　靶材尺寸Φ60mm，其中一個靶可以濺射2mm磁性材料，磁控靶可以共濺射也可以單獨直濺射，磁

控靶RF/DC/MF兼容，磁控靶帶有電動控制擋板。

 

　　C、單基片水冷加熱臺組件(1套)

 

　　可放置Φ30mm基片，最高溫度600℃±1℃，并有日本進口控溫表程序控制，樣品可自轉，樣品可

加直流副偏壓-200V。

 

　　D、窗口及法蘭接口部件(1套)

 

　　E、工作氣路(1套)

 

　　200SCCM、100SCCM質量流量控制器控制進氣。

 

　　F、抽氣機組及閥門、管道(1套)

 

　　G、安裝機臺架組件(1套)

 

　　*H、真空測量及電控系統(1套)

 

　　*配有500W射頻電源1套；(全自動匹配)和500W直流電源2套；

 

　　寬量程數顯真空測量：1.0x105Pa～1.0x10-5Pa。

 

　　有斷電保護功能和水流報警斷電保護功能

 

　　-200V直流偏壓電源：1套；

 

　　*I、配件(1套)及備件各1套，并另配Zn：99.99% Ti：99.9 Al：99.99% Sn：99.99%靶材

60mm*3mm厚度各一塊。

 

　　K、計算機控制系統(1套)

 

　　由計算機、硬件卡、軟件組成，可實現靶擋板、樣品自轉、六工位樣品擋板、樣品控溫等的自動控

制；

 

　　* L、六工位基片加熱公轉臺組件(1套)

 

　　拆下單基片水冷加熱臺組件可換上六工位基片公轉組件樣品臺。可放置6片Φ30mm基片，最高溫度

600℃±1℃，并有日本進口控溫表程序控制，樣品可自轉，樣品可加直流副偏壓-200V。可由計算機控

制公轉工位及鍍膜過程；

 

　　電動控制基片CF25擋板組件：1套

 

應用范圍：

 

　　薄膜制備。