主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6 Pa，進(jìn)樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4 Pa淀積薄膜厚度均勻性優(yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達(dá)800 oC

功能/應(yīng)用范圍：采用LTS陰極，陰極(靶位)4個(gè)，配備3個(gè)直流電源和1個(gè)射頻電源，可進(jìn)行直流磁控濺射和射頻濺射，可進(jìn)行共濺射可通Ar、N2、O2等3路氣體，可進(jìn)行反應(yīng)濺射進(jìn)樣室有射頻電源可對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)濺射清洗應(yīng)用范圍包括超薄金屬層、金屬硅化物薄膜、高介電常數(shù)柵介質(zhì)、金屬納米晶材料的淀積

技術(shù)特色：/

主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù)

收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方式儀器

負(fù)責(zé)人：徐賽生,陳潔

電話：55664846

電子郵件：lfzhang@fudan.edu.cn