主要技術(shù)指標(biāo)：分析室本底真空度優(yōu)于3.0 x 10 (-10) mb，制備室本底真空度優(yōu)于6.0 x 10 (-10) mb。樣品燈絲加熱溫度900 oC，而直接通電流加熱溫度可高于1200 oC。

功能/應(yīng)用范圍：系統(tǒng)包括掃描隧道顯微鏡(STM)、原子力顯微鏡(AFM)和低能電子衍射(LEED)。配備快速進(jìn)樣室和樣品制備室，可進(jìn)行樣品加熱處理、STM針尖原位清潔處理、金屬和IV族半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)、Ar+刻蝕、表面氣體吸附等。主要應(yīng)用于超高真空環(huán)境下的半導(dǎo)體材料表面結(jié)構(gòu)、表面生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)、半導(dǎo)體表面納米結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)和性質(zhì)等方面的研究和測(cè)試。

主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他