主要技術(shù)指標(biāo)：極限真空度：7*10-5Pa；基片每次裝載數(shù)量：1片；基片加熱溫度：室溫～300OC；充氣控制回路：2路；樣品臺旋轉(zhuǎn)速度：15轉(zhuǎn)/分鐘；樣品架溫度：室溫～300OC；束源爐溫度：室溫～500OC；蒸發(fā)舟溫度：室溫～1200OC。

　　主要附件及功能：功能：該設(shè)備是在高真空條件下，通過加熱材料的方法，在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜，在襯底上沉積各種金屬或合金電極并通過封裝手套箱封裝成簡單器件。主要用于有機(jī)半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性能研究實(shí)驗(yàn)及有機(jī)半導(dǎo)體器件的原理研究實(shí)驗(yàn)。

　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：電子與測量

　　檢測項(xiàng)目：可用于各種有機(jī)材料及部分金屬材料為蒸發(fā)源的蒸鍍，并可一次裝機(jī)進(jìn)行四種不同鍍膜材料的蒸鍍。

　　儀器聯(lián)系人：李宏建

　　聯(lián)系人電話：0731-88877259