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集成電路及電子元器件領(lǐng)域物(化) 性失效分析 PFA Decap 開(kāi)封 Bare Die Extraction 取晶粒 De-layer/De-process 去層解剖 Staining-Rom Code 碼點(diǎn)染色 Staining-P/N 阱染色 Staining-Resistor zone 電阻染色 De-Gold Bump 去金凸塊失效分析 PFA 精密定點(diǎn)及非定點(diǎn)研磨制樣 / 金相切片顯微觀察分析（Lieca DM8000紫外干涉150X、Hitachi S4800 冷場(chǎng)發(fā)射電鏡+ EDS）電性失效分析 EFA EMMI 微光顯微檢查 LC Hot Spot 液晶熱點(diǎn)偵測(cè) OBIRCH 鐳射光束誘發(fā)阻值變化測(cè)試 Probe Station 探針應(yīng)用 FIB聚焦離子束應(yīng)用微線路修改測(cè)試鍵生成 Cross-Section VC 精密切割及加工無(wú)損偵測(cè) X-Ray + 3D CT（三維斷層掃描技術(shù)） C-SAM 掃描超聲波芯片逆向工程及工藝評(píng)估成功的正向設(shè)計(jì)需要隨時(shí)更新已有設(shè)計(jì)思路，糾正設(shè)計(jì)缺陷。反向設(shè)計(jì)作為一種輔助工具，可以幫助電路設(shè)計(jì)工程師在短時(shí)間里積累足夠多的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)并開(kāi)發(fā)適合自身設(shè)計(jì)水平的工藝參數(shù)，有效規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)、提高效率。也可幫助設(shè)計(jì)公司提升產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力，或?yàn)楸Ｗo(hù)自主產(chǎn)品知識(shí)產(chǎn)權(quán)提供有效證據(jù)。靜電放電/閂鎖效應(yīng)測(cè)試 ESD-HBM 人體模式 ESD-MM 機(jī)器放電模式 ESD-CDM 充電元器件模式 Latch-Up 閂鎖效應(yīng)測(cè)試材料分析 AES 俄歇電子能譜儀應(yīng)用 AFM 原子力顯微鏡應(yīng)用 EELS 電子能量損失分析儀應(yīng)用 FT-IR 傅立葉紅外顯微鏡應(yīng)用 SEM/EDS 掃描電子顯微鏡/X射線能譜儀應(yīng)用 SIMS 二次離子能譜儀（特殊定點(diǎn)/非定點(diǎn)制樣、元素分析） TEM 透射電鏡（定點(diǎn)/非定點(diǎn)制樣及上機(jī)觀察） TOF-SIMS 飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜應(yīng)用 XPS X射線光電子能譜儀應(yīng)用可靠性測(cè)試靜態(tài)環(huán)境可靠性測(cè)試… 動(dòng)態(tài)環(huán)境可靠性試驗(yàn)… 機(jī)械應(yīng)力可靠性試驗(yàn)…

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